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[20a-P3-27] NIS トンネル接合型固体冷凍素子開発V
キーワード:トンネル接合型固体冷凍機
0.3K以下の動作を目指してNIS型トンネル接合を利用した固体冷凍機の開発を進めている.現在のプロセスでは、0.334Kのベース温度で0.1K以下の冷却が実現されるデバイス構造を完成させた。またN層が最上層にあるタイプの素子特性とシミュレーション結果の比較から,①N層のフォノン温度と電子温度がほぼ等しいこと,②超伝導層のギャップ電圧が非平衡効果のため減少していることが分かったので報告する.