[20a-P4-1~71] 17 ナノカーボン（ポスター）

[20a-P4-20] 大気圧CVD法における簡易酸化プロセス導入によるグラフェン核生成の制御

〇(PC)鈴木 誠也¹、寺田 佳史¹、吉村 雅満¹ (1.豊田工大院工)

キーワード：グラフェン、化学気相成長、核生成

化学気相成長(CVD)法で得られるグラフェンは多結晶であり、グラフェンの高い電子易動度は結晶粒界によって低下する。そのため、グラフェンの核生成を抑制し、より大きなグラフェンの単結晶ドメインを得る必要がある。本研究では、グラフェン成長直前のAr中アニールを導入することにより銅表面が酸化し、効果的にグラフェンの核生成を抑制できることを見出したので報告する。