[20a-P4-1~71] 17 ナノカーボン（ポスター）

[20a-P4-25] RF誘導加熱による微傾斜Si面SiC(0001)上単一ドメインエピタキシャルグラフェンの欠陥密度制御

〇道幸 雄真¹、和田 拓也²、今井 宏友¹、橋本 明弘¹ (1.福井大院工、2.福井大工)

キーワード：グラフェン、欠陥密度

Si昇華法によって形成されたSi面SiC基板上大面積エピタキシャルグラフェンは、その特性から超高速電子デバイス、透明電極、ファンデルワールス基板 など様々な応用が期待されている。今回、我々はグラフェン形成時の昇華温度と形成されたグラフェンの結晶性との関係を明らかにすることを目的に実験を行った。その結果として、高温になるほど欠陥密度は小さくなることが分かった。