[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-1] Siピラーの酸化におけるミッシングSiとSi放出機構の拡張

〇影島 博之^1,4、白石 賢二^2,4、遠藤 哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

キーワード：シリコン酸化、ナノワイヤ、理論

Siピラーの熱酸化は多くの研究者によって研究がなされてきたが、そのような中で「説明できないSi」、あるいは「ミッシングSi」が報告されている。Siピラーを熱酸化したときに、残されたSiピラーと形成されたSi酸化膜に含まれるSi原子の全量を見積もると、熱酸化する前のSiピラーに含まれるSi原子の量と比べて最大で50%しか残っていないのである。我々は今回従来の平坦Siの酸化に関するSi放出機構を拡張することで、Siピラーの酸化におけるミッシングSiの説明を試みた。