[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-2] V-MOSFETにおけるSi/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察

〇(M1)川内 伸悟¹、白川 裕規¹、洗平 昌晃^2,1,5、影島 博之^3,5、遠藤 哲郎^4,5、白石 賢二^2,1,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.JST-ACCEL)

キーワード：半導体、Si、V-MOSFET