2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

7 ビーム応用 » 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[20a-S224-1~9] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

2016年3月20日(日) 09:30 〜 12:00 S224 (南2号館)

堀内 敏行(電機大)、田中 聡(EIDEC)

11:30 〜 11:45

[20a-S224-8] 新規アクリル系ポリマー型電子線レジストの露光特性(Ⅱ)

落合 俊介1、髙山 智寛1、岸村 由紀子1、浅田 裕法1、國武 雅司2、星野 亮一3、河田 敦3 (1.山口大、2.熊本大、3.グルーオンラボ)

キーワード:レジスト

我々は、レジストにおける高分子の化学構造組成のデザインの役割を探ることを目的として、αクロロアクリル酸メチル(ACM)とメタクリル酸ベンジル(BzMA)を共重合したレジストを評価している。前回、ACMとBzMAの組成比50 : 50 (分子量 : 42,000 )のポリマー(レジストA)を合成し評価したところ、従来組成のαクロロアクリル酸メチルとαメチルスチレンの共重合体と比べ、エステル系現像液に対しての溶解性が高いことを報告した。しかしながら、酢酸アミルを現像液としたパターン形成においてはスカムの発生により良好なパターン形状が得られなかった。そこで今回は、組成比を変えたポリマーを合成し、露光特性の評価を行った。