2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20a-S321-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2016年3月20日(日) 09:00 〜 11:30 S321 (南3号館)

荒井 昌和(宮崎大)

10:45 〜 11:00

[20a-S321-8] VCSEL構造を用いた高出力ソリッドステートビームスキャナ

中濱 正統1、顧 暁冬1、坂口 孝浩1、松谷 晃宏2、小山 二三夫1 (1.東工大精研、2.東工大技術部)

キーワード:面発光レーザ、半導体光増幅器、ビーム偏向素子

自動車の自動運転やロボットの環境センシングのため,レーザレーダ技術が注目されており,小型化・長期信頼性の観点から,非機械式のビームスキャナの実現が求められている.これまでにAWGやVIPA,フェーズドアレイ導波路を用いた方式が提案されているが,いずれも解像点数が不十分であり,また大きな挿入損失が課題であった.一方で我々は,面発光レーザ(VCSEL)と同様の層構造を有する分布ブラッグ反射鏡導波路の巨大な構造分散を利用した,新規な波長分散素子を提案してきた.本報告では,電流注入型のブラッグ反射鏡導波路のビーム偏向特性と,増幅による高出力化のシミュレーション結果について報告する.