[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-16] 4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合

〇平井 悠久¹、作田 良太¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、移動度、熱酸化

4H-SiC MOSFET移動度を劣化させる因子として界面欠陥の影響が指摘されている一方、近年SiCの熱酸化に伴う基板特性の変化が報告されている。本研究では、SiC基板の熱酸化による消費量に着目しつつ熱酸化の進行がMOSFET移動度に与える影響を評価した結果、熱酸化による基板特性の劣化とダメージ層除去による回復効果が競合することを明らかにした。