2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:00 H101 (本館)

加藤 正史(名工大)、岡本 光央(産総研)、染谷 満(富士電機)

14:30 〜 14:45

[20p-H101-6] 水溶液と接触した4H-SiCにおける表面再結合

市川 義人1、加藤 正史1、市村 正也1 (1.名工大)

キーワード:SiC、表面再結合、水溶液

SiCは超高耐圧バイポーラデバイスもしくは水素生成用光電極などへの応用が期待されている。それらの応用においてキャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、表面再結合はキャリアライフタイムに影響を与える現象である。本研究ではSiCの表面状態と表面再結合速度との関係を明らかにするために、様々なpHの水溶液と接触させた4H-SiCに対してキャリアライフタイムの測定を行った。