[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-H101-8] エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価

〇梅田 享英¹、鹿児山 陽平¹、奥田 貴史²、須田 淳²、木本 恒暢²、小杉 亮治³、岡本 光央³、原田 信介³ (1.筑波大数物、2.京大、3.産総研)

キーワード：SiC-MOS界面、窒素ドーピング、電子スピン共鳴分光

4H-SiC/SiO₂界面の窒化処理は4H-SiC MOSFETの特性改善に標準的に用いられている。その要因の１つに窒素ドーピングが挙げられており、電流検出ESR（電子スピン共鳴）や走査型容量顕微鏡によって確かめられている。私達はESR法によって窒素ドナーの直接定量に取り組んでおり、今回は残留窒素濃度の低いエピタキシャル基板を使用することで精度を1桁向上させた定量を行ったので報告する。