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△ [20p-H101-9] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いた局所DLTS法の提案とSiO2/SiC界面評価への応用
キーワード:MOS界面、走査型プローブ顕微鏡法、DLTS法
SiCのMOS界面の物性評価技術はデバイスの特性向上の為に必須である.本研究では超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法(SHO-SNDM)と呼ばれるSPMを用いた局所DLTS法を提案する.SHO-SNDMによる測定結果から容量の過渡応答を解析する手法を示し,実際に45 nmの熱酸化膜が形成されたSiCウェーハを測定した結果を示す.