[20p-H103-1~21] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-H103-17] グラファイト状窒化炭素薄膜の合成温度による影響

〇羽渕 仁恵¹、藤田 詩織¹、堀江 弘将¹、滝川 浩史² (1.岐阜高専、2.豊橋技科大)

キーワード：グラファイト状窒化炭素薄膜

グアニジン炭酸塩を原料とすることで薄膜状のグラファイト状窒化炭素(g-C₃N₄)薄膜を合成できる。我々は3ゾーン式管状炉を用い原料と基板温度を独立して温度制御することにより、詳細な合成温度による薄膜の影響を調べた。原料を600℃に固定して、基板温度を510から575℃まで変化させた。525℃以下では粉体が基板に残り薄膜が形成されず、575℃では膜厚が薄かった。g-C₃N₄薄膜の合成に適した基板温度は530〜560℃という結論が得られる。