[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-10] レーザーアニールSiCの結晶性評価（3）

〇山本 秀和¹、内盛 瑞記¹、マッツァムト フルビオ²、金 鍾得³、小野 修一⁴、新井 学⁴ (1.千葉工大工、2.SCREEN/LASSE、3.パークシステムズ、4.新日本無線)

キーワード：ワイドギャップ半導体、パワーデバイス

SiCにおいては、ドーパント不純物の活性化に1700℃以上の高温熱処理が必要であり、製造プロセスの課題となっている。我々は、SiC中不純物の活性化にレーザーアニールを適用することを検討してきている。前回、ラマン散乱分光による評価の結果、レーザーアニールがイオン注入後の結晶性回復に有効であることを報告した。今回は、ラマン散乱分光による表面Si層およびC層の評価および原子間力顕微鏡（AFM：Atomic Force Microscope）による評価結果を報告する。