[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-9] TEMによるGaN層中の転位芯における原子位置解析

〇松原 徹^1,2、杉本 浩平¹、河原 慎¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大、2.UBE科学分析センター)

キーワード：窒化ガリウム、貫通転位

GaN成長にサファイア基板を使用する場合、低温GaN（LT-GaN）バッファ層の成長技術が重要であり、我々はLT-GaN中に存在する積層欠陥を起点とした貫通転位の生成を報告した。転位中のGa原子列位置を解析し周囲に対する変位を明らかにしたが、転位と変位の関係は不明であった。本研究ではMOVPE法およびHVPE法により成長したGaN層中の転位における原子変位を走査型透過電子顕微鏡により調査した。