[20p-H137-1~15] 7.5 イオンビーム一般

[20p-H137-13] 酢酸雰囲気下でのO₂-GCIB照射による金属エッチングの入射角依存性

〇小川 晃広¹、豊田 紀章¹、山田 公¹ (1.兵庫県立大院工)

キーワード：ガスクラスターイオンビーム、STT-MRAM、酢酸

イオンミリングやプラズマエッチングで生じるパターン側壁への再付着金属を、酢酸雰囲気下O₂-GCIB照射によって除去可能かどうかを検討するため、エッチング効果の角度依存性を調べた。酢酸雰囲気下で入射角度70^o、加速電圧5kVでO₂-GCIBを照射することにより、Ru,CoFeを効率的にエッチング可能であり、照射後のCoFe表面にほとんど変質層がないことがわかった。