[20p-H137-1~15] 7.5 イオンビーム一般

[20p-H137-14] スキャン機構を用いたClF₃中性クラスター反応性エッチング

〇瀬木 利夫¹、吉野 裕²、小池 国彦²、青木 学聡¹、松尾 二郎¹ (1.京大院工、2.岩谷産業)

キーワード：クラスター、中性ビーム、エッチング

反応性の高い三フッ化塩素(ClF₃)ガスの中性クラスタービームを用いると、単結晶Siを高速に異方性エッチングでき、ダメージの極めて少ない高精度な加工を実現できる。しかし、スキャンをしながらパターンエッチングを行った場合、固定照射に比べてトレンチ内の側壁エッチングが大きくなり、アスペクト比が低下してしまう課題があった。そこで、今回はスキャンしながらエッチングした際のエッチング特性について報告する。