[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[20p-P16-1] 原子層エピタキシー法により成長温度及び原料供給時間を変化させて作製したGaAsN薄膜のX線回折及びラマン分光法による結晶性の評価

〇橋本 英明¹、前田 幸治¹、横山 祐貴¹、堀切 将¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：半導体、GaAsN薄膜