[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[20p-P16-3] In_1-xGa_xSb量子井戸構造の電気的特性の評価

〇(M1)原田 義彬¹、岡 直希¹、藤川 紗千恵¹、藤代 博記¹ (1.東理大院)

キーワード：MBE、InGaSb、HEMT