[20p-P16-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[20p-P16-5] 微傾斜GaAs(111)B基板上に作製したGaSbタイプⅡナノロッドの光学異方性

〇川津 琢也¹、野田 武司¹、佐久間 芳樹¹、榊 裕之^1,2 (1.物材機構、2.豊田工大)

キーワード：半導体

Stranski–Krastanov (SK)モード成長は、基板上に格子定数の異なる材料を積層するだけで、10 nm 級量子ドットが転位を伴うことなく作製できる。SKモード成長では、ひずみを利用してドットが自己形成されるため、そのサイズや密度は、基板温度や成長速度などの成長パラメータの選択により制御できる。また、高指数面基板の使用も、ドット形状制御に有効な手段の一つである。本研究では、微傾斜GaAs(111)B基板上にGaSb量子ドット(ナノロッド)を作製し、その光学異方性を調べた。