[20p-P7-1~20] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[20p-P7-15] Si系剥片状ナノ材料の光物性・光触媒特性

〇板原 浩¹、呉 暁勇²、山崎 芳樹²、今川 晴雄¹、殷 シュウ²、小島 一信²、秩父 重英²、佐藤 次雄² (1.豊田中研、2.東北大)

キーワード：シリコン、シリサイド、光触媒

層状CaSi₂を原料とした固相剥離反応により、Si系剥片状ナノ粒子とNi（およびNiシリサイド）粒子とが混合されたコンポジットを合成した。剥片状粒子は、CaSi₂からCaが引き抜かれて生成されたSiに近い組成の粒子である。合成材料のバンドギャップは、バルクSi（間接遷移、～1.1eV）とは異なり、～1.8eV（直接遷移）であると考えられた。また、バルクSiには見られない光触媒活性を示した。