2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月20日(日) 13:30 〜 15:30 P9 (屋内運動場)

13:30 〜 15:30

[20p-P9-13] プライマー層を用いたCu/AlN接合界面の密着強度改善

佐藤 宏太郎1、安藤 大輔1、須藤 祐司1、小池 淳一1 (1.東北大工)

キーワード:銅ペースト、パワーモジュール、密着性

主に電力制御を担うパワーモジュールには、AlN基板に銅板を張り付けた回路が使用されている。我々はモジュール内回路をCuペーストを用いたスクリーン印刷法で形成することを目指している。低温焼成により回路を形成でき、低コスト化が見込めるからである。しかし低温焼成ではCu/AlN界面における密着強度の問題が懸念される。
本研究では基板表面に有機金属錯体からなるプライマー層を導入し、従来より密着強度の改善させることができた。