[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20p-P9-16] Arプラズマエッチングを用いた二段階ゲートリセス構造を持つInGaAs系HEMTの試作とその特性

〇細谷 友崇¹、尾辻 泰一¹、末光 哲也¹ (1.東北大通研)

キーワード：HEMT、InP、InGaAs

InGaAsをチャネルとしたInP系HEMTをさらに高速化する手段としてのArプラズマエッチングの効果を示した。しかし、Arプラズマエッチングに よるデバイスへのダメージも確認された。検証した結果、エッチングによるダメージが顕著に効いてくる原因を特定できた。このことを念頭に置き、エッチング 条件を詰めていくことで、デバイスへのダメージを軽減したプロセスへの見通しを立てることができた。