[20p-S011-9~20] 17.2 グラフェン

[20p-S011-11] Ir(111)/α-Al₂O₃(0001)基板上グラフェンのエピタキシャル成長および電気化学的転写

〇齋藤 祐太¹、籾山 佳貴¹、児玉 英之¹、澤邊 厚仁¹、黄 晋二¹ (1.青学大理工)

キーワード：グラフェン、CVD、転写

前回、Ir(111)/α-Al₂O₃(0001)基板上に単層グラフェンをCVD成長することに成功したが、面内の結晶方位関係が未解明であった。今回、RHEED観察により、結晶方位関係が graphene<11-20>/Ir<11-2>/α-Al₂O₃<11-20>であることがわかり、基板回転に対して6回対称のRHEEDパターンが得られたことからグラフェンが単結晶であることがわかった。併せて、NaOH水溶液を用いた電気化学転写法について検討を行い、SiO₂/Si基板上への一様な転写に成功した。また、同一の基板を再利用した複数回の成長と転写にも成功した。