[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-13] Pt/Mg_xZn_1-xO/n⁺-ZnOショットキーフォトダイオードにおける電流感度の改善

〇遠藤 治之¹、高橋 強¹、柏葉 安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

キーワード：ショットキーフォトダイオード、MgxZn1-xO、紫外線

我々はUV検出方式火炎センサの半導体化を目指し、Mg_xZn_1-xO ショットキーフォトダイオード型UVセンサ開発を進めている。本報告では、Mg_xZn_1-xO薄膜の成膜条件、薄膜化及び素子構造の見直しを行うことで特性の改善を図ったので報告する。