[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [20p-S222-2] RFマグネトロンスパッタリング法で作製した(ZnO)_x(InN)_1-x膜の表面モフォロジー制御

〇松島 宏一¹、井手 智章¹、山下 大輔¹、徐 鉉雄¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大)

キーワード：酸窒化物、スパッタリング、酸窒化インジウム亜鉛

太陽電池や発光デバイス等の光電子デバイス材料として，バンドギャップ制御可能な半導体材料が注目されている．このような材料として，筆者等はZnOとInNの擬2元系混晶である(ZnO)_x(InN)_1-x を開発している．本研究では，0.7%の格子不整合率を有するZnOテンプレート上にエピタキシャル(ZnO)_x(InN)_1-x膜を作製し，基板温度が(ZnO)_x(InN)_1-x膜の結晶成長様態に与える影響を調べた結果を報告する．