[20p-S223-9~17] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [20p-S223-12] Eu添加GaNにおける2価Euイオンの出現とその制御

〇布川 拓未¹、小泉 淳¹、松田 将明¹、朱 婉新¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：ユウロピウム、窒化ガリウム

我々は有機金属気相エピタキシャル（OMVPE）法によりEu添加GaN（GaN:Eu）を用いた発光ダイオード（LED）を作製し、室温・電流注入下で3価のEuに起因する赤色発光を得ることに成功している。今回、特定の成長条件で成長した場合に、2価のEuイオンがGaN結晶中に出現することが分かった。そこで、Eu添加GaNの新たな機能性の開拓を目指し、Eu²⁺が出現する原因を探ると共に、Eu²⁺とEu³⁺の割合を制御する手法を検討した。