2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:00 S321 (南3号館)

宮本 智之(東工大)、北田 貴弘(徳島大)

16:15 〜 16:30

[20p-S321-10] 表面回折格子を有する半導体薄膜DBRレーザの光出力特性

〇(DC)平谷 拓生1、井上 大輔1、冨安 高弘1、福田 快1、瓜生 達也1、雨宮 智宏2、西山 伸彦1、荒井 滋久1,2 (1.東工大、2.量子ナノ)

キーワード:半導体レーザ、薄膜レーザ、DBR

LSIチップ内の長距離配線では配線遅延や発熱などが懸念されている。この問題解決のために光配線の導入が提案されており、我々はその光源として薄膜レーザを実現してきた。今回、高効率薄膜レーザの実現に向けて、薄膜DBRレーザを作製した。しきい値電流は1.7 mA、前端面および後端面からの外部微分量子効率はそれぞれ31%および2.3%であり、前後の光出力比は13となった。また、この結果からDBR反射率88%が見積もられた。