[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-5] ドット密度高密度化効果による障壁層薄膜化と量子ドットレーザの高速変調動作実現

〇影山 健生¹、ヴォ クオック フイ²、渡邉 克之²、武政 敬三³、菅原 充³、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子、2.東大生研、3.QDレーザ)

キーワード：半導体レーザ、量子ドット、高速変調

量子ドット密度を高密度化することにより、歪補償等の材料系変更や装置改造を伴う技術を用いることなく、簡易にドット層間隔を薄膜化して活性層厚を低減することに成功し、作成したリッジレーザの小信号変調測定により長波長帯量子ドットレーザ最高値となる3dB帯域幅f_3dB =13.1 GHz (25°C), 8.8GHz (85°C)を得たので報告する。