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△ [20p-S321-8] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの高変調効率動作
キーワード:半導体レーザ、薄膜レーザ、Si上レーザ
オンチップ光配線技術の光源として半導体レーザには極低消費電力動作が要求される。我々は半導体薄膜構造による強光閉じ込め効果を用いた薄膜DFBレーザを提案し、これまでに集積導波路を有する薄膜DFBレーザの低しきい値電流動作実現してきた。今回、BCB貼り付け法によってSi基板に貼り付けをした薄膜DFBレーザにおいて、低しきい値電流0.21 mAでの単一モード発振と高変調効率11 GHz/mA1/2を得たのでご報告する。