[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

△ [20p-S421-7] CVD-MoS₂/SiO₂相互作用評価と完全被覆TGによるデュアルゲート変調

〇(M1)倉林 空¹、長汐 晃輔^1,2 (1.東大工、2.JST-さきがけ)

キーワード：MoS2、CVD、デュアルゲート

CVDで成膜したMoS₂は劈開のものに比べPL強度が高く，半値幅も小さいことから，CVDの方が結晶性が良いと考えられる．一方，測定した移動度の観点からは，劈開の方が移動度が高く，過去の報告例とも一致している．この矛盾はCVDのMoS₂が基板と相互作用していることに起因すると推測される．
本研究では， CVD-MoS₂を他の基板に転写し再度PL・ラマン計測を行うことで，基板との相互作用の影響を調べた．また転写後のCVD-MoS₂においてデュアルゲートFETを作成し，輸送特性を評価した．