[20p-S421-1~12] 17.3 層状物質

[20p-S421-9] シリケイン及びゲルマナンをチャネルとするCMOSトランジスタのバリスティック性能解析

〇兼古 志郎¹、岡 直左¹、土屋 英昭¹、小川 真人¹ (1.神戸大工)

キーワード：シリケイン、ゲルマナン、CMOS

シリコン、ゲルマニウムを水素終端した単分子層材料であるSilicane（シリケイン）、Germanane(ゲルマナン)のバンド構造を強束縛(TB)近似法で解析し、そのバンド構造からバリスティック条件下でのFETチャネルとしての性能を評価した。その結果、バンド構造を第一原理計算と比較すると非常に良い一致が見られ、電流値においてはデバイス条件によって材料間の優劣が逆転した。当日はその結果と考察について紹介する予定である。