[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-10] 短チャネルTFET におけるソース-ドレイン間直接トンネリングのオフ電流への寄与

〇林 文博¹、岩田 真次郎¹、福田 浩一^1,2、宮本 恭幸¹ (1.東工大、2.産総研)

キーワード：トンネルFET

トンネルFETにおいて，動的消費電力を減らす為のゲート長縮小時はソース-ドレイン間直接トンネリングが増える．タイプII型ヘテロ接合ト ンネルFETにおいて，シミュレーションによりその評価を行った．ドレインのドーピング濃度を減らし両極性成分を削減したところ，ゲート長 10nmではソース-ドレイン間トンネリング成分が支配的となった．よって短チャネルでは直接トンネリングがボトルネックとなりうる．