[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-12] GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証

〇(D)後藤 高寛^1,3、満原 学^2,3、星 拓也^2,3、杉山 弘樹^2,3、竹中 充^1,3、高木 信一^1,3 (1.東大工、2.NTT、3.JST CREST)

キーワード：トンネル電界効果トランジスタ、ガリウムヒ素アンチモン、インジウムガリウムヒ素

トンネルFETは従来型のMOSFETと比較して、より低電圧化が可能なことから注目が集まっている。その中でも、GaAsSb/InGaAsの系は有効質量が小さく、かつ組成比を変更し実効バンドギャップを低減することでトンネル確率増大が見込まれることから、トンネルFETのチャネルとして期待されている。今回、MOMBE法でInP基板にp-GaAsSb/i-InGaAs層を成長させたヘテロエピウェハを用いて、V_D=50mVのとき、低温(20K)でON/OFF比~4桁程度、最小S.S.値~80mV/decのデバイス動作を実証した。