[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-13] 高In組成InGaAs量子井戸を用いたInGaAs QW TFETの電気特性における性能評価

〇安 大煥^1,2、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.JST CREST)

キーワード：トンネルFET、InGaAs、量子井戸