[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-11] レーザーアニール技術の高性能パワー素子プロセスへの応用

〇陳 訳¹、岡田 竜弥¹、野口 隆¹、マッツァムト フルビオ²、ヒュエット カリム² (1.琉球大工、2.ｽｸﾘｰﾝｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀ(株))

キーワード：レーザーアニール、浅接合、電気特性

レーザーアニール技術による高性能低圧パワーMOSFETの極浅ベース接合層の形成の可能性について検討を行った。エキシマレーザーアニール（ELA）による段階接合に近い極浅接合が得られた。また、従来の固相ランプアニール（RTA）に比べ、溶融相であるレーザーアニールを用いることで、接合のシート抵抗がより低くなり、不純物の高い活性化率が確認されている。さらに、レーザーアニーリングプロセスによって、形成された極浅接合の電気特性についても検証した。