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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

東清一郎(広島大)、原明人(東北学院大)

18:00 〜 18:15

[20p-S423-17] イオン注入操作によって単結晶ゲルマニウム中に生じる欠陥のDLTSによる解析

〇池谷大樹¹、西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

キーワード：ゲルマニウム、イオン注入、DLTS

　　　