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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

東清一郎(広島大)、原明人(東北学院大)

14:30 〜 14:45

[20p-S423-4] ハイパワー大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコン薄膜の高速溶融結晶化と連続結晶成長

〇中島涼介¹、花房宏明²、東清一郎² (1.広大工、2.広大院先端研)

キーワード：大気圧プラズマジェット結晶化

　　　