[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

[20p-S621-4] 横方向エピタキシャル成長によるGe導波路の結晶性改善

〇小田 克矢¹、奥村 忠嗣¹、葛西 淳一¹、加古 敏²、岩本 敏²、荒川 泰彦² (1.日立研開、2.東大生研・先端研)

キーワード：ゲルマニウム、発光素子、横方向エピタキシャル成長