[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

[20p-S621-9] 伸張歪ゲルマニウムにおける共鳴電子ラマン遷移

〇(M2)松下 智昭¹、安武 裕輔^1,2、揖場 聡³、齋藤 秀和³、湯浅 新治³、深津 晋¹ (1.東大院総合(駒場)、2.JSTさきがけ、3.産業技術総合研究所)

キーワード：電子ラマン、歪Ge、シリコン上ゲルマニウム

ゲルマニウム(Ge)の示す興味深い物性として価電子帯内の電子ラマン遷移(ER)が、蛍光スペクトルを背景に顕在化することがあげられる。GeのERは双極子許容な２光子過程であり、スピン分極率の指標である円偏光度は-40%と直接端を上回る。電荷・スピン緩和と密接に関連する重要な過程でありながらGeのERに関する理解は現状、ほとんど進んでいない。本研究では、伸張歪によるバンド変調を導入し、SOバンド起源のERの発現とその制御を試みた。