[20p-W834-1~12] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

△ [20p-W834-5] Nb/Al/AlO_x/Al/Nb接合におけるサブギャップ電流の考察

〇(M2)池谷 瑞基¹、酒井 剛¹、小嶋 崇文²、野口 卓² (1.電通大、2.国立天文台)

キーワード：SIS接合、リーク電流

電波天文学用受信機の広帯域化には、高臨界電流密度を有するSISミキサが必須であり、接合の絶縁層の厚みを極めて薄くする必要がある。しかし、従来のNb/Al/AlOx/Nb接合の場合、絶縁層を薄くするとサブギャップ電圧領域のリーク電流が増加する傾向がある。本研究では、絶縁層の上にAl層を追加することで、リーク電流の低減を図った。今回はこれらの接合について、IV特性の数値計算とTEMによる断面観察、EDX分析を通して得られた考察を報告する。