[21a-H101-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-H101-7] SiCのWet酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加

〇川村 浩晃¹、永井 龍¹、蓮沼 隆¹、山部 紀久夫¹ (1.筑波大)

キーワード：SiC、Wet酸化、絶縁膜

次世代パワーデバイスの材料として、熱酸化により良好な酸化絶縁膜、SiO₂が形成されるSiCが注目されている。しかし、SiC熱酸化膜の界面は極端に悪く、界面形成のメカニズム解明は重要である。我々は今までDry酸化に伴う酸化膜表面および界面のラフネス増加に着目し、熱酸化機構について考察を深めてきた。そこで、良好な界面が得られるWet酸化におけるラフネス増加にも注目し、熱酸化雰囲気の違いによるラフネス形成機構の考察を試みた。