[21a-P2-1~52] 1.2 教育

△ [21a-P2-17] TCADを用いたSiへのイオン注入とアニール効果

〇(B)広田 悠輝¹、中口 陽介¹、足立 拓磨¹、高濱 滉太¹、向井 浩二¹、田中 武¹ (1.広島工大)

キーワード：教育、半導体、TCAD

本研究ではTCADシミュレーションを用いてイオン注入、アニール処理を行うことによりアニール技術の重要性を明確にし、大学教育への応用を試みた。実験の結果、アニール処理には温度依存性があり、一定温度以上では不純物がSi原子と置換しながら拡散していると考えられた。今後、半導体プロセスの基礎的な教育として、TCADを用いたイオン注入とアニールのシミュレーション及び結果の考察を活用したい。