[21a-S223-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[21a-S223-1] 【講演奨励賞受賞記念講演】 Si(111)基板上BaSi₂エピタキシャル膜の双晶粒界に対する第一原理計算

〇馬場 正和¹、香山 正憲²、都甲 薫¹、末益 崇^1,3 (1.筑波大院数理、2.産総研電池技術、3.JST-CREST)

キーワード：シリサイド、結晶粒界

本研究では、シリサイド半導体BaSi₂の双晶粒界に対して、第一原理計算を用いた理論的視点からDB の構造、少数キャリアに対する特性を検討した。最安定な界面モデルにおいて、粒界近傍とバルク結晶内部の各原子における局所状態密度に顕著な変化は見られなかった。そのため、BaSi₂ の双晶粒界は少数キャリアトラップとして働かないことが考えられる。