[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [21a-S422-10] サブ10 nmゲート長III-V nMOSFETにおけるソース・ドレイントンネル電流のチャネル電子有効質量依存性

〇(M1)片木 慎也¹、大森 正規¹、土屋 英昭¹、小川 真人¹ (1.神戸大工)

キーワード：ソース・ドレイントンネル電流、III-V nMOSFET、ウィグナー・モンテカルロ法