[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-S422-4] 【第7回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演】 TEMその場観察を用いたCBRAM 繰り返し抵抗変化時のフィラメント観察

〇工藤 昌輝¹、有田 正志²、大野 裕輝³、高橋 庸夫² (1.北大院情報（現 九大超顕微セ）、2.北大院情報、3.北大院情報（現 三菱自動車）)

キーワード：抵抗変化型メモリ、TEMその場観察、透過型電子顕微鏡

ReRAMの一種であるCBRAMの動作メカニズムは導電性フィラメントの形成・切断によるものであると考えられている。透過型電子顕微鏡を用いることで内部構造変化の観察が可能であり、観察と同時に電気伝導特性評価を行うTEMその場観察は動作メカニズム解明に対し強力なツールとなっている。本研究では実メモリセルと同じ抵抗変化特性が得られるデバイスを作製し、繰り返し抵抗変化させた際のTEMその場観察を行った。