[21a-S422-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [21a-S422-6] SdH振動を用いたひずみSi pMOSFETにおける価電子帯有効質量の評価

〇嶋田 絢¹、中根 了昌¹、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院・工、2.JST-CREST)

キーワード：Si MOSFET、ひずみ、有効質量