[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-9] GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS評価

〇塩島 謙次¹、田中 丈士^1,2、三島 友義³、徳田 豊⁴ (1.福井大院工、2.サイオクス（株）、3.法政大学、4.愛知工大)

キーワード：GaN、DLTS、ショットキー接触

Si濃度が10¹⁶ cm^-3前半で意図的にC濃度を変化させたGaN基板上厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS測定を行ったので結果を報告する。C濃度が低い試料では、通常のｎ-GaNで観測されるE1,およびE3ピークがみられた。一方、C濃度が大きい試料では、欠陥濃度が大きく減少している。この現象は、C濃度が2x10¹⁶ cm^-3以下の場合C原子がドナーサイトに入り、それ以上の場合アクセプターサイトに入りキャリアを補償するサイトチェンジに対応しており、成長条件の制御で欠陥の生成を抑えることができた。