2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.4 アナログ応用および関連技術

[21a-W833-1~12] 11.4 アナログ応用および関連技術

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 W833 (西8号館)

山下 太郎(情通機構)、藤井 剛(産総研)

11:15 〜 11:30

[21a-W833-9] 原子層堆積法により成膜した窒化ニオブ(NbN)膜の超伝導特性

浮辺 雅宏1、藤井 剛1、志岐 成友1、大久保 雅隆1 (1.産総研)

キーワード:NbN/AlN/NbN STJアレイ、粒子検出器、原子層堆積法

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ(NbN-STJ)アレイ粒子検出器の開発を進めている。NbN-STJアレイ粒子検出器に必要な高品質NbN/AlN/NbN超伝導多層膜は、原料化合物分子(プリカーサー)をモノレイヤーで吸着させ、化学反応により原子一層ずつ目的とする物質を成膜する原子層堆積法(ALD)を用いて成膜している。上記多層膜の最適成膜条件決定に向け、3つの異なる基板温度で成膜したNbN薄膜の超伝導特性を評価した。