[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21p-H111-13] 酸素ラジカルを用いて作製したTiO_2-δスパッタ薄膜の局所構造とI-V特性

〇(M1)川村 欣也¹、樋口 透¹、鈴木 直哉¹、土屋 敬志¹、小林 正起²、組頭 広志²、寺部 一弥³ (1.東理大理、2.高エネ研、3.物材機構)

キーワード：TiO2-d薄膜、酸素ラジカル、抵抗変化メモリ―

本研究では、Ti-metalと酸素ラジカルを用いたスパッタ法により(004)と(112)に配向したTiO2-d薄膜を作製した。TiO2-d薄膜はTi⁴⁺/Ti³⁺ の混合原子価状態をもち、電子構造と電気特性は、n型半導体的な挙動を示した。クロスポイント構造をもつPt/TiO2-d/Pt薄膜は、ショットキーバリアの存在を示唆するI-V特性を示した。