[21p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21p-H111-16] Ge核／Si上へのFe₃O_4-δナノドットエピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果

〇(D)石部 貴史¹、前田 佳輝¹、松井 秀紀¹、渡辺 健太郎¹、成瀬 延康²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.北海道大学)

キーワード：酸化物材料、ナノ構造、抵抗スイッチング

安価で環境低負荷なReRAM材料としてSi基板上の鉄酸化物が期待されている。これまで我々は、OFF/ON抵抗比の向上を狙って、結晶欠陥密度を低減可能なエピタキシャルナノドットに注目し、Si基板上にGe核を用い、Fe₃O_4-δナノドットのエピタキシャル成長に成功した。Ge核は、Fe₃O_4-δナノドットとSi基板の反応を抑制する役割を果たすが、エピタキシャル成長への影響は未知である。本講演では、エピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果を明らかにする。